MSPM0在指定Flash地址开拓模拟EEPROM

时间:2024-11-15 13:03:06 来源: 编辑:

在嵌入式零星中 ,指定址开诸如变频器以及伺服驱动器等工业运用,拓模致使CD播放器等泛滥破费电子产物,指定址开都需要保存最近的拓模用户配置,不才次上电后加载运用 。指定址开假如运用MCU内置Flash ,拓模艰深擦写次数限度在10k次,指定址开无奈知足寿命以及持久性要求 ,拓模以是指定址开只能经由外置EEPROM实现。

本文援用地址 :TI新推出的拓模MSPM0系列MCU反对于运用Flash模拟EEPROM时需要在Lower32KB开拓EEPROM专用地域的工况,提出运用SECTIONS调配的指定址开方式处置与EEPROM以及Code可能重合的下场,配合SDK的拓模Flash操作,可能很简略实现EEPROM在恣意Flash地域的指定址开开拓。

拓模

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